10a650v場效應(yīng)管,65t540 650V,KNF6165C參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-20
開關(guān)電源專用MOS管KNF6165C漏源擊穿電壓6500V，漏極電流10A；低導(dǎo)通電阻RDS（導(dǎo)通）0.8Ω，最小化開關(guān)損耗，快速切換，開關(guān)性能優(yōu)越；低柵極電荷、低反向傳輸電容、100%單脈沖雪崩能量測試，高效穩(wěn)定可靠；專為高壓、高速功率開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，如高效開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正、基于半橋拓撲的電子燈鎮(zhèn)流器等；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：650V
漏極電流：10A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：40A
雪崩能量單脈沖：500MJ
總功耗：40W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：35nC
輸入電容：1645PF
輸出電容：130PF
反向傳輸電容：8PF
開通延遲時間：29nS
關(guān)斷延遲時間：56nS
上升時間：25ns
下降時間：26ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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