MOS管防倒灌電路的設計原理是利用MOS管的開關特性，當電源正常連接時，MOS管處...MOS管防倒灌電路的設計原理是利用MOS管的開關特性，當電源正常連接時，MOS管處于導通狀態(tài)；當電源斷開或有電流倒灌風險時，MOS管迅速關斷，阻止電流逆向流動。
bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽技術(shù)，極低導...bms mos管KNY3404D漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽技術(shù)，極低導通電阻RDS(開啟) 5.2mΩ，最大限度地減少導電損耗，提升效率；具有開關速度快，內(nèi)阻...
當VUSB有電，PMOS管截止，即便有體二極管電流流過，但是因為VUSB會比Vbat電壓高...當VUSB有電，PMOS管截止，即便有體二極管電流流過，但是因為VUSB會比Vbat電壓高，PMOS的Vgsl
共模電感：是指當交流電通過電路時，同時抑制電路中電流流向地線的電感。它主要...共模電感：是指當交流電通過電路時，同時抑制電路中電流流向地線的電感。它主要用于濾除共模干擾，即在線路與地線之間產(chǎn)生的干擾電流。 差模電感：是指當交流電通...
KND3403C場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ...KND3403C場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，可最大限度地降低導通電阻，性能優(yōu)越；具備低柵極電荷、低反向傳輸電容，快速切換...
