KCX017N10N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流259A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，...KCX017N10N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流259A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開(kāi)關(guān)損耗，提高...
nmos管作為防止電路反接方案中，VCC=5V的電源加在10K阻性負(fù)載上，電壓表、電流...nmos管作為防止電路反接方案中，VCC=5V的電源加在10K阻性負(fù)載上，電壓表、電流表分別測(cè)量，記錄值是5V、500uA；切換Key開(kāi)關(guān)，模擬電源反接時(shí)，測(cè)得記錄值是-49.55...
交流充電樁輸出的依然是交流電，這種電流需要經(jīng)過(guò)車載充電機(jī)(OBC)轉(zhuǎn)換為直流電...交流充電樁輸出的依然是交流電，這種電流需要經(jīng)過(guò)車載充電機(jī)(OBC)轉(zhuǎn)換為直流電后才能為電池充電。這一轉(zhuǎn)換過(guò)程限制了充電速度，因?yàn)檐囕d充電機(jī)的功率通常有限(3.3...
KCX012N10N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，...KCX012N10N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流330A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開(kāi)啟) 1.4mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開(kāi)關(guān)損耗，高...
LLC變換器由4個(gè)模塊組成：電源開(kāi)關(guān)、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率...LLC變換器由4個(gè)模塊組成：電源開(kāi)關(guān)、諧振腔、變壓器和二極管整流器。MOSFET功率開(kāi)關(guān)首先將輸入的直流電壓轉(zhuǎn)換為高頻方波；隨后方波進(jìn)入諧振腔，由諧振腔消除方波的...
<ul id="ou8ay"></ul>