17N10場效應管,259a100v,KCX017N10N參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-02
KCX017N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流259A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 2mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高效率；符合JEDEC標準，100%DVDS測試、100%雪崩測試，確保可靠性和穩定性，在電機控制和驅動、電池管理、不間斷電源（UPS）中廣泛應用；封裝形式：TO-263、TOLL，散熱良好。
漏源電壓：100V
漏極電流：259A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：1036A
單脈沖雪崩能量：1365MJ
功率耗散：250W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：176nC
輸入電容：10120PF
輸出電容：1360PF
反向傳輸電容：50PF
開通延遲時間：85nS
關斷延遲時間：92nS
上升時間：137ns
下降時間：98ns
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