假使在這里沒有電阻起到偏置電壓的作用，那么 MOSFET 的源極電壓會(huì)因?yàn)殡S著負(fù)載...假使在這里沒有電阻起到偏置電壓的作用，那么 MOSFET 的源極電壓會(huì)因?yàn)殡S著負(fù)載電流的變化而變化，導(dǎo)致門源電壓出現(xiàn)變化，從而影響 MOSFET 工作狀態(tài)。
b772集電極基極電壓-40V，集電極-發(fā)射極電壓-30V，發(fā)射極-基極電壓-6V，最小放...b772集電極基極電壓-40V，集電極-發(fā)射極電壓-30V，發(fā)射極-基極電壓-6V，最小放大倍數(shù)60，最大放大倍數(shù)400，耗散功率500mW。采用SOT-89封裝，封裝小巧、熱性能好、...
C1、C2是差模電容器，一般稱為X電容，電容容量很多時(shí)候選擇在0.01μF到0.47μF...C1、C2是差模電容器，一般稱為X電容，電容容量很多時(shí)候選擇在0.01μF到0.47μF之間；Y1和Y2是共模電容，一般稱為Y電容，電容量不宜過大，一般在幾十納法左右，選的...
LM311比較器電路及其引腳編號如下原理圖所示。該晶體管的接地位于引腳 1 處，集...LM311比較器電路及其引腳編號如下原理圖所示。該晶體管的接地位于引腳 1 處，集電極開路輸出位于引腳 7 處。圖中顯示，使用 1k 電阻器將邏輯電壓上拉至 +5，這是典...
為了評估功率器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)，通常采取的測量方法是雙脈沖測試。通過兩個(gè)脈沖，...為了評估功率器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)，通常采取的測量方法是雙脈沖測試。通過兩個(gè)脈沖，去控制器件的開關(guān)開關(guān)，然后測試在開關(guān)過程中的一些參數(shù)指標(biāo)。 對比不同開關(guān)管參數(shù)...
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