MOS管下拉電阻作用,柵源(G-S)極下拉電阻-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-26
MOS是電壓驅(qū)動元件，對電壓很敏感，懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導通，外部干擾信號對G-S結(jié)電容充電，這個微小的電荷可以儲存很長時間。
在試驗中G懸空很危險，很多就因為這樣爆管，G接個下拉電阻對地，旁路干擾信號就不會直通了，一般可以10~20K。這個電阻稱為柵極電阻。
作用1：為場效應(yīng)管提供偏置電壓;
作用2：起到瀉放電阻的作用(保護柵極G~源極S)。
首先第一個，“偏置電壓”：
我們知道MOSFET一般柵極電壓比源極電壓高出一定的電壓，才能夠讓其開啟，這里的電壓差被稱為門源電壓。
假使在這里沒有電阻起到偏置電壓的作用，那么 MOSFET 的源極電壓會因為隨著負載電流的變化而變化，導致門源電壓出現(xiàn)變化，從而影響 MOSFET 工作狀態(tài)。
當加入電阻以后，電阻會通過電壓降來微MOSFET提供一個穩(wěn)定的偏置電壓，穩(wěn)定 MOSFET 的工作狀態(tài)。
第二個作用的原理分析，保護柵極G~源極S，場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極。這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護場效應(yīng)管的作用。
MOSFET柵極（G）-源極（S）的下拉電阻詳細解釋
MOSFET是高阻抗器件，在柵極（G）和源極（S）之間，存在一層絕緣體，即二氧化硅（SiO2）。MOS管有一個米勒效應(yīng)，我們?yōu)榱吮苊夤茏娱L時間停留在一個米勒平臺上，會選擇加速MOS管的導通與關(guān)斷時間，減少開關(guān)的損耗。
一旦MOSFET驅(qū)動異常，米勒電容可能會通過電流給柵極（G）和源極（S）充電，接著小電流高阻抗對應(yīng)著高電壓，柵極電壓被充電，如若超過門檻電壓“Vgs(th)”，則易導致MOSFET重新開通，這是十分危險的。
下拉電阻對電荷的泄放路徑
此外，當MOSFET用于開關(guān)電路時，在開關(guān)過程中，如果柵極電壓沒有及時降下來，極易導致MOSFET處于部分導通狀態(tài)，隨后產(chǎn)生大量的熱量，造成MOSFET損壞。再柵極（G）和源極（S）之間增加一個適當?shù)南吕娮瑁軌蚱鸬郊涌鞏艠O電壓的下降速度的作用，從而保護MOSFET。
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