雙脈沖測(cè)試原理,雙脈沖測(cè)試原理圖詳解-KIA MOS管

IGBT是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗，低導(dǎo)通壓降，高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn)，非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲(chǔ)能裝置和新能源汽車等電力電子應(yīng)用。

雙脈沖測(cè)試

為了評(píng)估功率器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)，通常采取的測(cè)量方法是雙脈沖測(cè)試。通過(guò)兩個(gè)脈沖，去控制器件的開關(guān)開關(guān)，然后測(cè)試在開關(guān)過(guò)程中的一些參數(shù)指標(biāo)。

對(duì)比不同開關(guān)管參數(shù)及性能，同時(shí)可以獲取開關(guān)管開關(guān)過(guò)程中的參數(shù)，評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻數(shù)值是否合適，是否需要吸收電路等。而且可以考量開關(guān)管在實(shí)際電路中的實(shí)際表現(xiàn)，反向恢復(fù)電流，關(guān)斷電壓尖峰，開通關(guān)斷時(shí)間等。

雙脈沖測(cè)試原理圖

雙脈沖測(cè)試原理

將雙脈沖電壓加在在DUT的VGS上。當(dāng)?shù)谝粋€(gè)脈沖施加之后，DUT處于導(dǎo)通狀態(tài)，而上面的管子一直處于關(guān)閉狀態(tài)，那么電流就順著紅色箭頭的方向，通過(guò)電感從上往下流過(guò)DUT，由于電感的電流不能瞬變，所以導(dǎo)通電流有一個(gè)從零開始逐漸增加到最大的過(guò)程。

電流上升的斜率可以用U/L得到。如母線電壓是1000V，電感是100uH，那么電流從零上升到100A的時(shí)間就是10us。

雙脈沖測(cè)試原理

當(dāng)電流達(dá)到最大（如100A），那就可以把DUT關(guān)閉了，那DUT管子會(huì)直接斷開。這時(shí)可以測(cè)試管子關(guān)斷過(guò)程中的一些參數(shù)，比如關(guān)斷時(shí)間、關(guān)斷損耗、關(guān)斷時(shí)的VDS震蕩等。

那么在關(guān)斷期間，由于電感的電流不能瞬變，所以這個(gè)電流會(huì)繼續(xù)順著箭頭的方向進(jìn)行續(xù)流，所以上面這個(gè)管子又叫續(xù)流管。那這個(gè)過(guò)程中由于時(shí)間非常短，我們可以認(rèn)為電感上的電流是不變的。

雙脈沖測(cè)試原理