當電池極性未接反時，D正偏導通，Q的GS極由電池正極經過F、R1、D回到電池負極得...當電池極性未接反時，D正偏導通，Q的GS極由電池正極經過F、R1、D回到電池負極得到正偏而導通。Q導通后的壓降比D的壓降小得多，所以Q導通后會使D得不到足夠的正向電...
R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，可以這么理解，高壓電流的大小...R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，可以這么理解，高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以用R5檢測高壓電流的大小。圖中LM339的兩個比較器單...
IGBT是由一個N溝道的MOS管FET和一個PNP型GTR組成，以GTR為主導器件，MOS管為驅...IGBT是由一個N溝道的MOS管FET和一個PNP型GTR組成，以GTR為主導器件，MOS管為驅動器件。GiantTransistor-GTR電力晶體管。這也導致其性能上與MOS管有所差異。注意區...
關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄...關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關管能快速關斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅動電阻上并聯一...
保護作用：當流過SD的電流過大時可以分流一部分；對于高速開關的場合，體二極管...保護作用：當流過SD的電流過大時可以分流一部分；對于高速開關的場合，體二極管由于開通速度過慢，導致無法迅速開通，電流無法通過，進而損壞MOS，因此并聯的二極...
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