晶圓經(jīng)過(guò)測(cè)試后，首先要經(jīng)過(guò)背面研磨，以達(dá)到所需厚度；然后進(jìn)行晶圓切割，將晶...晶圓經(jīng)過(guò)測(cè)試后，首先要經(jīng)過(guò)背面研磨，以達(dá)到所需厚度；然后進(jìn)行晶圓切割，將晶圓切割成芯片；選擇質(zhì)量良好的芯片，通過(guò)芯片貼裝工藝將芯片連接到引線框架或基板上...
這里使用單穩(wěn)態(tài)/非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器IC CD4047來(lái)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)脈沖。該 IC 工作功耗低，...這里使用單穩(wěn)態(tài)/非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器IC CD4047來(lái)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)脈沖。該 IC 工作功耗低，采用 14 引腳雙列直插式封裝。在引腳 13 處，引腳 10 處的振蕩的 1/2 作為 Q，引腳...
1.晶圓制備 硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，而脫氧后的沙子（尤其是石英）最多包含...1.晶圓制備 硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素，而脫氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO?)的形式存在，這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。
導(dǎo)通條件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng)造一個(gè)Vgs電壓，不需要去...導(dǎo)通條件：Vgs＞Vth，R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng)造一個(gè)Vgs電壓，不需要去關(guān)心G、D之間的電壓關(guān)系（只要沒(méi)有達(dá)到擊穿電壓）。另外S極不一定需要接地，只需要滿...
當(dāng)柵極（G）接高電平時(shí)，源極（S）和漏極（D）之間的導(dǎo)電通道被打開(kāi)，電流可以...當(dāng)柵極（G）接高電平時(shí)，源極（S）和漏極（D）之間的導(dǎo)電通道被打開(kāi)，電流可以通過(guò)；當(dāng)柵極接低電平時(shí)，導(dǎo)電通道被關(guān)閉，電流無(wú)法通過(guò)。因此，通過(guò)控制柵極的電平...
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