控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術(shù)生產(chǎn)，極...控制板mos管KNF6180A漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專用新型技術(shù)生產(chǎn)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.0Ω，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，提供卓越的開關(guān)性能；快速...
熱阻的符號為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個(gè)物理量，用于描述在有...熱阻的符號為Rth和θ。 單位是℃/W（K/W）。 熱阻是一個(gè)物理量，用于描述在有溫度差的情況下，物體抵抗傳熱能力的強(qiáng)弱。熱導(dǎo)率越好的物體，其熱阻通常越低。
SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對應(yīng)的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對應(yīng)二...SOD-123封裝尺寸與1206封裝尺寸是對應(yīng)的。1206封裝尺寸為1.2mm×1.6mm，對應(yīng)二極管SOD-123封裝。 sod323長度比sod123短1.0毫米，寬度短0.3毫米，高度短0.1毫米。...
KIA28N50HH場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0....KIA28N50HH場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流28A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.16mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低柵極電荷、低Crss、改進(jìn)的d...
使用兩個(gè)萬用表，一個(gè)測量基極與發(fā)射極之間的電阻值，一個(gè)測量基極與集電極之間...使用兩個(gè)萬用表，一個(gè)測量基極與發(fā)射極之間的電阻值，一個(gè)測量基極與集電極之間的電阻值，通過判斷電阻值的變化來確定管腳的正負(fù)極性以及集電極、基極、發(fā)射極的連...
許多MOS管在管殼表面上有標(biāo)記或標(biāo)識，標(biāo)明了各個(gè)電極的名稱； 在電路圖中，MO...許多MOS管在管殼表面上有標(biāo)記或標(biāo)識，標(biāo)明了各個(gè)電極的名稱； 在電路圖中，MOS管的電極通常會用特定的符號表示，G極通常用一個(gè)圓圈表示，S極用一個(gè)小圓圈表示，D...
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