KNF6180B漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專有高壓平面VDMOS技術(shù)生產(chǎn)，改進(jìn)...KNF6180B漏源擊穿電壓800V，漏極電流10A；采用專有高壓平面VDMOS技術(shù)生產(chǎn)，改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.87Ω，可最大限度地降低導(dǎo)...
從功率的公式P=UI可以看出，當(dāng)電壓不變時(shí)，功率與電流成正比；當(dāng)電流不變時(shí)，功...從功率的公式P=UI可以看出，當(dāng)電壓不變時(shí)，功率與電流成正比；當(dāng)電流不變時(shí)，功率與電壓成正比。說明如果電壓增加，而電流保持不變，那么功率也會(huì)增加。
電源效率等級(jí)是根據(jù)電源在不同負(fù)載情況下的轉(zhuǎn)換效率來劃分的，轉(zhuǎn)換效率越高，等...電源效率等級(jí)是根據(jù)電源在不同負(fù)載情況下的轉(zhuǎn)換效率來劃分的，轉(zhuǎn)換效率越高，等級(jí)越高，成本也越高。? 電源的轉(zhuǎn)換效率分為鈦金、白金、金牌、銀牌、銅牌以及白牌...
KIA4603AE場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，采用先進(jìn)的高密度溝槽加工技術(shù)...KIA4603AE場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流7A，采用先進(jìn)的高密度溝槽加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 14.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，高效低耗；低柵...
當(dāng)用手觸及電極“1”時(shí)，人體的感應(yīng)信號(hào)經(jīng)過V3放大后，使V1導(dǎo)通，V1集電極為低...當(dāng)用手觸及電極“1”時(shí)，人體的感應(yīng)信號(hào)經(jīng)過V3放大后，使V1導(dǎo)通，V1集電極為低電平，V4的基極也為低電平，故V4截止，其集電極為高電平，V5的基極也為高電平，故V5...
MOS管Q2，用于將按鍵電平VIN，轉(zhuǎn)換為單片機(jī)的電壓軌3.3V，防止VIN燒毀單片機(jī)的...MOS管Q2，用于將按鍵電平VIN，轉(zhuǎn)換為單片機(jī)的電壓軌3.3V，防止VIN燒毀單片機(jī)的I/O。單片機(jī)讀取KEY_ON引腳的電平，就可以得到按鍵狀態(tài)。Q2可以用三極管代替，但三極...
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