熱阻的計(jì)算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表熱阻，單位是℃/W（或者開爾文...熱阻的計(jì)算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表熱阻，單位是℃/W（或者開爾文每瓦特 K/W）。 ΔT 是溫度差，表示物體兩端的溫差，單位是℃。 P 是功率，表示施...
KNH2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8m...KNH2908D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪崩電流，性能優(yōu)越，高效穩(wěn)...
反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點(diǎn)是其內(nèi)阻...反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點(diǎn)是其內(nèi)阻。如果考慮一個(gè)通用的IRF9540 p溝道MOSFET，內(nèi)阻是0.22R或220ms，但如果考慮它的互...
電路中VT1與VT2組成互補(bǔ)多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初...電路中VT1與VT2組成互補(bǔ)多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初級就是互補(bǔ)多諧振蕩器的負(fù)載，次級為升壓繞組，輸出一個(gè)較高的脈沖電壓。
電機(jī)控制器mos管KIA50N06BP漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟...電機(jī)控制器mos管KIA50N06BP漏源擊穿電壓60V，漏極電流50A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 10.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，降低功耗、提升效率；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高...
通過控制兩個(gè)全控型開關(guān)器件的通斷，實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。當(dāng)其中一個(gè)開關(guān)閉合...通過控制兩個(gè)全控型開關(guān)器件的通斷，實(shí)現(xiàn)直流到交流的轉(zhuǎn)換。當(dāng)其中一個(gè)開關(guān)閉合時(shí)，直流電源的正極連接到交流負(fù)載上，同時(shí)負(fù)載上出現(xiàn)正向電壓；當(dāng)該開關(guān)斷開時(shí)，負(fù)...
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