R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開關MOS管并接，使開關管電壓應力減...R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2組成緩沖器，和開關MOS管并接，使開關管電壓應力減少，EMI減少，不發生二次擊穿。在開關管Q1關斷時，變壓器的原邊線圈易產生尖峰電壓和...
在輸入控制回路中，電阻R1串接在IC1光電耦合器輸入端對其發光管進行限流保護，...在輸入控制回路中，電阻R1串接在IC1光電耦合器輸入端對其發光管進行限流保護，發光管LED對輸入控制信號給予指示，VD1對輸入端的反偏電壓進行保護。當控制端無信號...
KCP2915B場效應管漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A，采用先進的SGT、溝槽MOS技術...KCP2915B場效應管漏源擊穿電壓150V，漏極電流130A，采用先進的SGT、溝槽MOS技術設計，高效率低損耗；極低導通電阻RDS(on) 7.3mΩ，低柵極電荷，可最大限度地減少導...
輸入信號處理：電機控制器接收來自外部的控制信號，如模擬信號、數字信號等。這...輸入信號處理：電機控制器接收來自外部的控制信號，如模擬信號、數字信號等。這些信號經過處理后，用于控制電機的運行狀態。 微處理器控制：微處理器是電機控制器...
MOSFET的閾值電壓Vgs（th)具有負溫度系數，這意味著隨著溫度的升高，閾值電壓會...MOSFET的閾值電壓Vgs（th)具有負溫度系數，這意味著隨著溫度的升高，閾值電壓會降低。這是因為溫度升高會導致半導體材料中的載流子濃度增加，使得溝道中的載流子更...
SSP10065A碳化硅二極管10a/650v參數，具有更高的過電壓安全裕度、提高了所有負...SSP10065A碳化硅二極管10a/650v參數，具有更高的過電壓安全裕度、提高了所有負載條件下的效率、與硅二極管替代品相比提高了效率、降低散熱器要求、無熱失控的并聯...
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