在PFC電路中，MOSFET損耗約占總損耗的20%左右。通過選擇正確的器件，PFC效率能...在PFC電路中，MOSFET損耗約占總損耗的20%左右。通過選擇正確的器件，PFC效率能夠得到大幅提升。為PFC電路選擇合適MOSFET器件的一種方法是使用針對特定應用的品質因...
在開關電源的整流電路和濾波電容之間增加一個DC－DC的斬波電路，如圖所示（斬波...在開關電源的整流電路和濾波電容之間增加一個DC－DC的斬波電路，如圖所示（斬波電路等于附加一個開關電源）。對于供電線路來說，該整流電路輸出沒有直接接濾波電容...
KND3404D場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽工藝技術，極低...KND3404D場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A，采用先進的溝槽工藝技術，極低的導通電阻RDS(開啟) 4.4mΩ，最大限度地減少導電損耗；低Crss、快速切換，高效穩定...
NPN三極管由兩個N型半導體和一個P型半導體組成，而PNP三極管則是由兩個P型半導...NPN三極管由兩個N型半導體和一個P型半導體組成，而PNP三極管則是由兩個P型半導體和一個N型半導體構成。 NPN三極管：當在基極（B）和發射極（E）之間施加正向電壓...
當控制信號施加在基極上時，PNP三極管進入導通狀態，發射極與集電極之間的電阻...當控制信號施加在基極上時，PNP三極管進入導通狀態，發射極與集電極之間的電阻變得非常小，電流可以順暢流動。而當控制信號消失時，PNP三極管回到截止狀態，電流不...
KIA5N50SD場效應管漏源電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻，RDS（ON）為1.38Ω，...KIA5N50SD場效應管漏源電壓500V，漏極電流5A，低導通電阻，RDS（ON）為1.38Ω，最大限度地減少導通損耗；具有堅固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到漏極二極管的恢...
