晶圓級封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全...晶圓級封裝（Wafer Level Packaging，WLP），是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序，再進行切割制成單顆組件的先進封裝技術 。 WLP基本工藝是在晶圓完...
NMOS的電流方向在標準導通狀態下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設計（如...NMOS的電流方向在標準導通狀態下為漏極（D）到源極（S），但在特定電路設計（如防反接電路）中可能反向流動（S到D）。 MOS管的導通條件取決于NMOS或PMOS類型和閾...
60r180場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進的溝槽技術制造，極低...60r180場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 160mΩ，低柵極電荷Qg=33.5nC，減少開關損耗，提高效率；具備高...
電動車控制器的原理是在電池電壓保持相對穩定的前提下，通過斷續供電的方式，調...電動車控制器的原理是在電池電壓保持相對穩定的前提下，通過斷續供電的方式，調整電機供電電壓的平均值，從而實現對電機速度和電流的精準控制。這種控制方式使得電...
開通時損耗：PON=IceoVcetofff 開通過程損耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crs...開通時損耗：PON=IceoVcetofff 開通過程損耗：Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss 關斷時損耗：Poff=IcVcestonf 關斷過程損耗：Pf=IcVDStff/6＝Ic2tftf'f/6Coss ...
KLF60R280B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流15A，采用新型溝槽工藝制造，性...KLF60R280B場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流15A，采用新型溝槽工藝制造，性能優越；低導通電阻RDS(開啟) 240mΩ，減少導電損失，低柵極電荷（典型值Qg=19.6nC）...
<ul id="ou8ay"></ul>