晶圓級封裝(Wafer Level Packaging,WLP),是一種直接在晶圓上完成大部分或全...晶圓級封裝(Wafer Level Packaging,WLP),是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測試程序,再進行切割制成單顆組件的先進封裝技術 。 WLP基本工藝是在晶圓完...
NMOS的電流方向在標準導通狀態下為漏極(D)到源極(S),但在特定電路設計(如...NMOS的電流方向在標準導通狀態下為漏極(D)到源極(S),但在特定電路設計(如防反接電路)中可能反向流動(S到D)。 MOS管的導通條件取決于NMOS或PMOS類型和閾...
60r180場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流20A ,采用先進的溝槽技術制造,極低...60r180場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流20A ,采用先進的溝槽技術制造,極低導通電阻RDS(開啟) 160mΩ,低柵極電荷Qg=33.5nC,減少開關損耗,提高效率;具備高...
電動車控制器的原理是在電池電壓保持相對穩定的前提下,通過斷續供電的方式,調...電動車控制器的原理是在電池電壓保持相對穩定的前提下,通過斷續供電的方式,調整電機供電電壓的平均值,從而實現對電機速度和電流的精準控制。這種控制方式使得電...
開通時損耗:PON=IceoVcetofff 開通過程損耗:Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crs...開通時損耗:PON=IceoVcetofff 開通過程損耗:Pr=IcVDStrf/6= Ic2trtr'f/6Crss 關斷時損耗:Poff=IcVcestonf 關斷過程損耗:Pf=IcVDStff/6=Ic2tftf'f/6Coss ...
KLF60R280B場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流15A,采用新型溝槽工藝制造,性...KLF60R280B場效應管漏源擊穿電壓600V,漏極電流15A,采用新型溝槽工藝制造,性能優越;低導通電阻RDS(開啟) 240mΩ,減少導電損失,低柵極電荷(典型值Qg=19.6nC)...