儲能：電路的耗電有時候大，有時候小，當耗電突然增大的時候如果沒有電容，電源...儲能：電路的耗電有時候大，有時候小，當耗電突然增大的時候如果沒有電容，電源電壓會被拉低，產(chǎn)生噪聲，振鈴，嚴重會導致CPU重啟，這時候大容量的電容可以暫時把...
如圖所示MOS管驅(qū)動電路，定性分析可知，當MOS管關(guān)斷時，MOS管兩端應力為Vds，此...如圖所示MOS管驅(qū)動電路，定性分析可知，當MOS管關(guān)斷時，MOS管兩端應力為Vds，此時Vds向Cgd和Cgs充電，可能導致Vgs達到Vgs(th)導致MOS管誤導通。
弱反型區(qū)，溝道消失，流過溝道的漂移電流變?yōu)閿U散電流。模型的表達式變?yōu)橹笖?shù)特...弱反型區(qū)，溝道消失，流過溝道的漂移電流變?yōu)閿U散電流。模型的表達式變?yōu)橹笖?shù)特性而不是平方律 弱反型區(qū)適合低功耗電路，因為電流很小，但問題在于較大的噪聲以及...
對于NMOS，當襯源PN結(jié)正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效...對于NMOS，當襯源PN結(jié)正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效應會導致閾值電壓變大，電流IDS減小。
前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態(tài)平衡，此時，同相端、...前級同向端輸入電壓信號給LM324,運放負自身負反饋需要動態(tài)平衡，此時，同相端、反相端電壓相等(V+=V-)。由此R1上的電壓就是同相端輸入電壓，R1采樣電阻上流過的恒...
Vds與Vdsat的關(guān)系 Vds > Vdsat時，region變?yōu)?，為了保證PVT下電路仍處于飽和...Vds與Vdsat的關(guān)系 Vds > Vdsat時，region變?yōu)?，為了保證PVT下電路仍處于飽和區(qū)，需要讓Vds -Vdsat大于某個經(jīng)驗值。
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