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【圖文詳解】MOS管GS兩端并聯(lián)阻容-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-09-08 

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【圖文詳解】MOS管GS兩端并聯(lián)阻容-KIA MOS管


MOS管GS兩端并聯(lián)阻容作用

仿真分析

如圖所示MOS管驅(qū)動電路,定性分析可知,當MOS管關斷時,MOS管兩端應力為Vds,此時Vds向Cgd和Cgs充電,可能導致Vgs達到Vgs(th)導致MOS管誤導通。


MOS管 GS 并聯(lián) 阻容

圖1 MOS管驅(qū)動等效電路


以MOS管IMZA65R048M1H為例

設此時應力Vds為600V,Cgs兩端電壓為

MOS管 GS 并聯(lián) 阻容


此時Vgs已經(jīng)達到,管子開啟電壓Vgs(th)

如果Cgs兩端并接電阻R=10k


MOS管 GS 并聯(lián) 阻容


此時Vgs會慢慢降為0,Vds基本落在Cgd兩端,但是還是會有一個較高的電壓尖峰,此時Cgs兩端并聯(lián)一個2.2nF的電容,此時可以發(fā)現(xiàn)電壓尖峰只有2.2V左右,可以有效防止MOS管的誤導通。


MOS管 GS 并聯(lián) 阻容


結論:

Cgs兩端并接阻容可以有效防止MOS管的誤導通。



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