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關于過驅動電壓Veff/Vod的分析-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2022-09-29 

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關于過驅動電壓Veff/Vod的分析-KIA MOS管


過驅動電壓Veff/Vod定義

Veff=VGS-VTH,表示過驅動電壓。


表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實是一個變值,會隨VGS電壓變化而變化,也會受VTH的影響(體效應),其實是我們設計過程中可能會經常出現的一個名詞,經常會設計一個比較固定的過驅動電壓。


另外,過驅動電壓也可以表示稱為Vod,直觀的表示就是over drive voltage。


下面通過對過驅動電壓Vod的變化情況,來看下NMOS的工作區:


1、VGS>VTH,且VDS<Veff:

MOS管工作在線性區(三極管區),此時的電流是:


2、VGS>VTH,且VDS>Veff ( VDS>VGS-VTH ----> VGD<VTH ):

MOS管工作在飽和區,此時的電流是:


如果考慮溝道長度調制效應的話是:


注意:ID描述的電流方向是從D端流向MOS管的。


下面是PMOS的工作區描述:

1、|VGS|>|VTH|,且|VDS|<|Veff|:

PMOS工作在線性區(三極管區),此時的電流是:


2、|VGS|>|VTH|,且|VDS|>|Veff|:

PMOS工作在飽和區,此時的電流是:


如果考慮溝道長度調制的話是:



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