關于過驅動電壓Veff/Vod的分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-09-29
Veff=VGS-VTH，表示過驅動電壓。
表示的是柵源電壓-閾值電壓。其實是一個變值，會隨VGS電壓變化而變化，也會受VTH的影響（體效應），其實是我們設計過程中可能會經常出現的一個名詞，經常會設計一個比較固定的過驅動電壓。
另外，過驅動電壓也可以表示稱為Vod，直觀的表示就是over drive voltage。
下面通過對過驅動電壓Vod的變化情況，來看下NMOS的工作區：
1、VGS>VTH，且VDS<Veff：
MOS管工作在線性區（三極管區），此時的電流是：
2、VGS>VTH，且VDS>Veff ( VDS>VGS-VTH ----> VGD<VTH )：
MOS管工作在飽和區，此時的電流是：
如果考慮溝道長度調制效應的話是：
注意：ID描述的電流方向是從D端流向MOS管的。
下面是PMOS的工作區描述：
1、|VGS|>|VTH|，且|VDS|<|Veff|：
PMOS工作在線性區（三極管區），此時的電流是：
2、|VGS|>|VTH|，且|VDS|>|Veff|：
PMOS工作在飽和區，此時的電流是：
如果考慮溝道長度調制的話是：
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>