PFC的英文全稱為“Power Factor Correction”，意思是“功率因數校正”，功率因...PFC的英文全稱為“Power Factor Correction”，意思是“功率因數校正”，功率因數指的是有效功率與總耗電量（視在功率）之間的關系，也就是有效功率除以總耗電量（...
某些IGBT是單裸片組件，要么結合單片二極管作，要么不結合二極管；然而，大多數...某些IGBT是單裸片組件，要么結合單片二極管作，要么不結合二極管；然而，大多數IGBT結合了聯合封裝的二極管。大多數制造商提供單個θ值，用于計算結點至外殼熱阻抗...
溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內...溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監控溫度。
如圖1所示，使用了P溝道的內置二極管的電路，此處二極管的主要作用是續流作用，...如圖1所示，使用了P溝道的內置二極管的電路，此處二極管的主要作用是續流作用，電路是鋰電池充放電電路，當外部電源斷開時采用鋰電池進行內部供電，即+5V電源斷開...
3n150代替型號KNL42150A 3A1500V 產品特性： 高速開關 RDS(ON),typ.=6.5Ω@...3n150代替型號KNL42150A 3A1500V 產品特性： 高速開關 RDS(ON),typ.=6.5Ω@VGS=10V 全隔離塑料包裝 應用程序： 切換應用程序
PMOS管-3.5A-20V KIA2305產品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3...PMOS管-3.5A-20V KIA2305產品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A VDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A VDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@V...
