圖中，MOSFET管充當開關時，將S,D端連入回路中；g,m端連接控制器或者信號發生器...圖中，MOSFET管充當開關時，將S,D端連入回路中；g,m端連接控制器或者信號發生器，通過輸入信號來控制MOSFET的閉合和斷開。
當前時刻，電刷正極和換向器B1接觸，電刷負極和換向器B2相連，同時MOS1和MOS4導...當前時刻，電刷正極和換向器B1接觸，電刷負極和換向器B2相連，同時MOS1和MOS4導通，MOS3和MOS2關閉，則線圈L1中有電流流過，如圖2所示。此時電機開始轉動,換向器也...
儲能：電路的耗電有時候大，有時候小，當耗電突然增大的時候如果沒有電容，電源...儲能：電路的耗電有時候大，有時候小，當耗電突然增大的時候如果沒有電容，電源電壓會被拉低，產生噪聲，振鈴，嚴重會導致CPU重啟，這時候大容量的電容可以暫時把...
如圖所示MOS管驅動電路，定性分析可知，當MOS管關斷時，MOS管兩端應力為Vds，此...如圖所示MOS管驅動電路，定性分析可知，當MOS管關斷時，MOS管兩端應力為Vds，此時Vds向Cgd和Cgs充電，可能導致Vgs達到Vgs(th)導致MOS管誤導通。
弱反型區，溝道消失，流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特...弱反型區，溝道消失，流過溝道的漂移電流變為擴散電流。模型的表達式變為指數特性而不是平方律 弱反型區適合低功耗電路，因為電流很小，但問題在于較大的噪聲以及...
對于NMOS，當襯源PN結正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效...對于NMOS，當襯源PN結正偏時，會帶來閂鎖效應（Latch-up），所以VBS<0，背柵效應會導致閾值電壓變大，電流IDS減小。
