功耗的本質(zhì)是能量耗散。由能量守恒定律可知，能量只能從一種形式轉(zhuǎn)成另一種形式...功耗的本質(zhì)是能量耗散。由能量守恒定律可知，能量只能從一種形式轉(zhuǎn)成另一種形式，能量的總量不變。芯片耗散的電能主要轉(zhuǎn)化成熱能。如果一顆芯片的功耗過(guò)大，容易導(dǎo)...
減少柵極充電的峰值電壓，當(dāng)柵極的電壓拉高，首先對(duì)柵極的寄生電容進(jìn)行充電，I...減少柵極充電的峰值電壓，當(dāng)柵極的電壓拉高，首先對(duì)柵極的寄生電容進(jìn)行充電，I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力，為了保護(hù)IC,添加R25之后，可能有效的...
(1) 用邏輯圖寫(xiě)表達(dá)式：可以從輸入到輸出逐級(jí)推導(dǎo)，寫(xiě)出電路輸出端的邏輯表達(dá)式...(1) 用邏輯圖寫(xiě)表達(dá)式：可以從輸入到輸出逐級(jí)推導(dǎo)，寫(xiě)出電路輸出端的邏輯表達(dá)式。 (2) 化簡(jiǎn)表達(dá)式：在需要時(shí)，用分式化簡(jiǎn)法或者卡諾圖化簡(jiǎn)法將邏輯表達(dá)式化為最簡(jiǎn)...
當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）...當(dāng)5V沒(méi)接入時(shí)，PMOS管的柵極通過(guò)電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過(guò)MOS管的內(nèi)部體二極管到達(dá)源極，源極電壓為（3~3.5）V，此時(shí)Ugs為（-3.5）V到（-...
電源正接，寄生二極管導(dǎo)通，S極電壓升高，VGS ≈ -Vin，從而PMOS開(kāi)啟，一般導(dǎo)通...電源正接，寄生二極管導(dǎo)通，S極電壓升高，VGS ≈ -Vin，從而PMOS開(kāi)啟，一般導(dǎo)通電阻在數(shù)十mΩ，導(dǎo)通損耗遠(yuǎn)低于二極管。
防反接這個(gè)其實(shí)就是利用了左下角這個(gè)NMOS管的特性，對(duì)于NMOS如果我們給上面這個(gè)...防反接這個(gè)其實(shí)就是利用了左下角這個(gè)NMOS管的特性，對(duì)于NMOS如果我們給上面這個(gè)圖加上反向的電壓是不導(dǎo)通的。（NMOS導(dǎo)通的條件是G極接高電位，另外上圖并不是常用...
