60R180場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進的溝槽技術制造，極低...60R180場效應管漏源擊穿電壓600V，漏極電流20A ，采用先進的溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 160mΩ，低柵極電荷Qg=33.5nC，減少開關損耗，提高效率；具備高...
監控系統的充電模塊常采用MOS管實現電流控制，通過調節柵極電壓控制導通狀態，...監控系統的充電模塊常采用MOS管實現電流控制，通過調節柵極電壓控制導通狀態，實現快速充放電管理。 在數據采集系統中，MOS管常用于雙向電平轉換電路，例如將3.3...
78l05三端穩壓器具有輸出電流高達100mA，無需外部部件、熱過載關機保護、短路電...78l05三端穩壓器具有輸出電流高達100mA，無需外部部件、熱過載關機保護、短路電流限制等特性。KIA78L05是單片固定電壓調節器集成電路，適用于需要高達100mA供電的...
KCT1704A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流260A ，采用先進的SGT技術、?專有...KCT1704A場效應管漏源擊穿電壓40V，漏極電流260A ，采用先進的SGT技術、?專有高密度溝槽技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 1.1mΩ，低柵極電荷減少開關損耗，提高...
電壓轉電流電路（V/轉換電路）通過負反饋機制將電壓信號轉換為電流信號，原理基...電壓轉電流電路（V/轉換電路）通過負反饋機制將電壓信號轉換為電流信號，原理基于歐姆定律，通過調節電路參數實現電壓與電流的線性轉換。 采用深度負反饋放大電路...
肖特基勢壘二極管（SBD），屬于金屬-半導體結電子器件，由金屬層（金/鉬/鎳/鈦...肖特基勢壘二極管（SBD），屬于金屬-半導體結電子器件，由金屬層（金/鉬/鎳/鈦等）與N型半導體（硅/砷化鎵）形成肖特基勢壘接觸。
