絕緣柵型場效應管和結型場效應管詳解-KIA MOS管

絕緣柵型場效應管和結型場效應管的區(qū)別

結型場效應管（JFET）、絕緣柵型場效應管（MOSFET），結型場效應管分為N溝道和P溝道；絕緣柵型分為增強型和耗盡型（N溝道和P溝道）。

JFET和MOSTFET之間的主要區(qū)別在于，通過JFET的電流通過反向偏置PN結上的電場引導，而在MOSFET中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。

結型場效應管（JFET）

依據導電溝道類型分為：

N溝道JFET：溝道由N型半導體構成。

P溝道JFET：溝道由P型半導體構成。

其特性為耗盡型（導電溝道在零偏壓下存在）。

絕緣柵型場效應管（MOSFET）

按導電溝道類型和開啟條件分為：

增強型MOSFET：需要外加柵極電壓才能形成溝道，分N溝道和P溝道。

耗盡型MOSFET：在零柵壓下已有溝道，同樣分為N溝道和P溝道。

絕緣柵型場效應管詳解

MOSFET由源極、漏極和柵極構成。其顯著特點是源、漏極之間沒有p-n結，而是由一層絕緣材料隔開。柵極與基片之間存在一層氧化層，稱為柵氧層。

絕緣柵型,結型場效應管

MOSFET通過調控輸入信號電壓，通過柵極控制輸出電流。柵極電壓影響絕緣層下方的電子濃度，從而控制電流流動。

與JFET相比，MOSFET具有更低的輸入電容、更高的輸入電阻、更好的噪聲特性以及更高的可靠性和穩(wěn)定性。此外，MOSFET具有更高的絕緣強度，適用于高壓應用場景。

結型場效應管詳解

JFET由一個n型或p型半導體材料構成，其兩端之間夾有一層相反類型的半導體材料（即形成p-n結）。這個p-n結被稱為“通道”。

絕緣柵型,結型場效應管

JFET通過在柵極和源極之間施加電壓來控制電流的流動。當在柵-源之間加負向電壓時，可以保證耗盡層承受反向電壓，在漏-源之間加正向電壓則形成漏極電流。JFET的漏極電流與施加的柵極電壓成正比。

JFET的輸入電阻較高，輸出電阻較低，且具有良好的線性特性。

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷售的高新技術型企業(yè)，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業(yè)長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導體產品。

絕緣柵型,結型場效應管