KIA3N80H場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流3A，漏源擊穿電壓高達(dá)800V，在開啟狀態(tài)下靜態(tài)電阻RDS...KIA3N80H場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流3A，漏源擊穿電壓高達(dá)800V，在開啟狀態(tài)下靜態(tài)電阻RDS為4.8Ω，具有穩(wěn)定的電氣特性；低柵極電荷為13nC，確保快速的響應(yīng)速度；具有高堅(jiān)固性...
0805貼片電阻的功率是1/8W。??0805是貼片電阻的一種封裝型號(hào)，電阻的功率是根...0805貼片電阻的功率是1/8W。??0805是貼片電阻的一種封裝型號(hào)，電阻的功率是根據(jù)電阻封裝大小、材質(zhì)等因素來(lái)決定的，通常電阻的廠家會(huì)提供銷售的電阻的功率參數(shù)。...
運(yùn)放電壓跟隨器的原理是利用運(yùn)算放大器的高增益特性，實(shí)現(xiàn)輸入電壓與輸出電壓之...運(yùn)放電壓跟隨器的原理是利用運(yùn)算放大器的高增益特性，實(shí)現(xiàn)輸入電壓與輸出電壓之間的線性關(guān)系。在理想情況下，輸出電壓與輸入電壓完全相等，即增益為1，因此得名“...
電解電容區(qū)分正負(fù)極：①電容套管白色銀邊且有“一字”標(biāo)識(shí)的側(cè)端引腳為電容負(fù)極...電解電容區(qū)分正負(fù)極：①電容套管白色銀邊且有“一字”標(biāo)識(shí)的側(cè)端引腳為電容負(fù)極，另一側(cè)端引腳則為電容正極；②新的電容引腳長(zhǎng)的為電容正極，另一引腳則為電容負(fù)極...
NMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)。...NMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)。閾值電壓是一個(gè)特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導(dǎo)通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMO...
固定端A接電源正極（+V）或信號(hào)源。 中間滑動(dòng)端W接輸出端，用于獲取與滑動(dòng)位置...固定端A接電源正極（+V）或信號(hào)源。 中間滑動(dòng)端W接輸出端，用于獲取與滑動(dòng)位置成比例的電壓。 固定端B接地（GND）或電源負(fù)極（-V）。 這樣，滑動(dòng)端W的電壓將隨...
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