mos管替代基本原則： 1.功能替代原則：選擇具有相同或相似功能的器件進(jìn)行替代...mos管替代基本原則： 1.功能替代原則：選擇具有相同或相似功能的器件進(jìn)行替代。 2.參數(shù)替代原則：選擇參數(shù)相近的器件進(jìn)行替代，如電壓、電流、功率、頻率等。
AVDD表示模擬電壓，給芯片中的模擬器件供電，比如camera供電就要用到AVDD，也是...AVDD表示模擬電壓，給芯片中的模擬器件供電，比如camera供電就要用到AVDD，也是相對于DVDD區(qū)別出來的，
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS...如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
TL431是具有三個(gè)端子的可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器。它的輸出電壓用兩個(gè)電阻就可以設(shè)置從Vr...TL431是具有三個(gè)端子的可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器。它的輸出電壓用兩個(gè)電阻就可以設(shè)置從Vref（2.5V）到36V范圍內(nèi)的任何值。該器件的典型動態(tài)阻抗為0.2Ω，在很多應(yīng)用中用它代...
雙電層電容器（英語：Electrostatic double-layer capacitor）也稱為電雙層電容...雙電層電容器（英語：Electrostatic double-layer capacitor）也稱為電雙層電容器，或超級電容器；一種相對傳統(tǒng)電容器而言具有更高容量的一種電容器。是介于電容器...
2305場效應(yīng)管參數(shù)漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-3.5A；極低RDS（on）的高密度單...2305場效應(yīng)管參數(shù)漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計(jì)、無鉛產(chǎn)品、堅(jiān)固可靠；封裝形式：SOT-23。2305場效應(yīng)管應(yīng)用于LED感應(yīng)燈、玩...
