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場效應管電路圖符號識圖

場效應管英文縮寫：FET(Field-effect transistor)，簡稱為場效應管，是一種高輸入阻抗的電壓控制型半導體。場效應管也是一種晶體三極管，也有三個極，分別叫源極S，柵極G，漏極D。

場效應管電路圖符號，在電路圖中它常用

表示，關于它的構造原理由于比較抽象，由于根據使用的場合要求不同做出來的種類繁多，特性也都不盡相同;我們在mpn中常用的一般是作為電源供電的電控之開關使用，所以需要通過電流比較大，所以是使用的比較特殊的一種制造方法做出來了增強型 的場效應管(MOS型)，它的電路圖符號:

場效應管電路圖符號仔細看看你會發現，這兩個圖似乎有差別，對了，這實際上是兩種不同的增強型場效應管，第一個那個叫N溝道增強型場效應管，第二個那個叫P溝道增強型場效應管，它們的的作用是剛好相反的。前面說過，場效應管是用電控制的開關，那么我們就先講一下怎么使用它來當開關的，從圖中我們可以看到它也像三極管一樣有三個腳，這三個腳分別叫做柵極(G)、源極(S)和漏極(D)，mpn中的貼片元件示意圖是這個樣子:

1腳就是柵極，這個柵極就是控制極，在柵極加上電壓和不加上電壓來控制2腳和3腳的相通與不相通，N溝道的，在柵極加上電壓2腳和3腳就通電了，去掉電壓就關斷了，而P溝道的剛好相反，在柵極加上電壓就關斷(高電位)，去掉電壓(低電位)就相通了!

場效應管電路圖符號參數

Cds---漏-源電容

Cdu---漏-襯底電容

Cgd---柵-源電容

Cgs---漏-源電容

Ciss---柵短路共源輸入電容

Coss---柵短路共源輸出電容

Crss---柵短路共源反向傳輸電容

D---占空比（占空系數，外電路參數） di/dt---電流上升率（外電路參數） dv/dt---電壓上升率（外電路參數） ID---漏極電流（直流）

IDM---漏極脈沖電流

ID(on)---通態漏極電流

IDQ---靜態漏極電流（射頻功率管） IDS---漏源電流

IDSM---最大漏源電流

IDSS---柵-源短路時，漏極電流

IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流） IG---柵極電流（直流）

IGF---正向柵電流

IGR---反向柵電流

IGDO---源極開路時，截止柵電流

IGSO---漏極開路時，截止柵電流

IGM---柵極脈沖電流

IGP---柵極峰值電流

IF---二極管正向電流

IGSS---漏極短路時截止柵電流

IDSS1---對管第一管漏源飽和電流

IDSS2---對管第二管漏源飽和電流

Iu---襯底電流

Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數） gfs---正向跨導

Gp---功率增益

Gps---共源極中和高頻功率增益

GpG---共柵極中和高頻功率增益

GPD---共漏極中和高頻功率增益

ggd---柵漏電導

gds---漏源電導

K---失調電壓溫度系數

Ku---傳輸系數

L---負載電感（外電路參數）

rDS(on)---漏源通態電阻

rDS(of)---漏源斷態電阻

rGD---柵漏電阻

rGS---柵源電阻

Rg---柵極外接電阻（外電路參數） RL---負載電阻（外電路參數）

R(th)jc---結殼熱阻

R(th)ja---結環熱阻

PD---漏極耗散功率

PDM---漏極最大允許耗散功率

PIN--輸入功率

POUT---輸出功率

PPK---脈沖功率峰值（外電路參數） to(on)---開通延遲時間

td(off)---關斷延遲時間

ti---上升時間

ton---開通時間

toff---關斷時間

tf---下降時間

trr---反向恢復時間

Tj---結溫

Tjm---最大允許結溫

Ta---環境溫度

Tc---管殼溫度

Tstg---貯成溫度

VDS---漏源電壓（直流）

VGS---柵源電壓（直流）

VGSF--正向柵源電壓（直流）

VGSR---反向柵源電壓（直流）

VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數） VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數） Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數） VGS(th)---開啟電壓或閥電壓

V（BR）DSS---漏源擊穿電壓

V（BR）GSS---漏源短路時柵源擊穿電壓 VDS(on)---漏源通態電壓

VDS(sat)---漏源飽和電壓

VGD---柵漏電壓（直流）

Vsu---源襯底電壓（直流）

VDu---漏襯底電壓（直流）

VGu---柵襯底電壓（直流）

Zo---驅動源內阻

η---漏極效率（射頻功率管）

Vn---噪聲電壓

aID---漏極電流溫度系數

ards---漏源電阻溫度系數

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