24N50現貨供應商 KIA24N50 24A/500V KIA24N50 PDF文件-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-02-01
KIA10N65特征
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V
低柵極電荷（典型的90nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA24N50
工作方式：24A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：24A
脈沖漏極電流：96A
雪崩能量：1150mJ
耗散功率：290W
熱電阻：40℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數：0.5V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：3500 PF
輸出電容：520 PF
上升時間：35 ns
封裝形式：TO-3P
 |
KIA24N50（24A 500V） |
| 產品編號 | KIA24N50/HH |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這種先進的技術特別適合于最小化狀態電阻，提供優越的開關性能，以及在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖 |
| 產品特征 |
RDS(ON) =0.16Ω@V GS =10 V 低柵極電荷（典型的90nc） 高耐用性 快速切換 100%雪崩測試 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適合于高效率開關電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正 |
| 封裝形式 | TO-3P |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.52yitang.com |
| PDF總頁數 | 總5頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
<ul id="ou8ay"></ul>