7N65b參數,7n65場效應管,650v7a,KND7N65B現貨-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2025-12-18
KND7N65B場效應管漏源擊穿電壓650V,漏極電流7A,采用高級平面工藝制造,極低導通電阻RDS(開啟) 1.2Ω,最大限度地減少導電損耗,低柵極電荷,開關速度快,降低開關損耗,提高效率;具有高輸入阻抗、低功耗、符合RoHS標準,快速恢復體二極管,性能穩定可靠;廣泛應用于適配器、充電器、SMPS待機電源等;封裝形式:TO-252,體積小、散熱良好。
詳細參數:
漏源電壓:650V
漏極電流:7A
導通電阻:1.2Ω
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:28A
單脈沖雪崩能量:550MJ
功率耗散:126W
閾值電壓:2-4V
總柵極電荷:18nC
輸入電容:1100PF
輸出電容:9PF
反向傳輸電容:80PF
開通延遲時間:10nS
關斷延遲時間:16nS
上升時間:10ns
下降時間:9ns
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