7n80場效應管代換,7a800v,?KIA7N80HF參數現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-07-21
7n80場效應管代換型號KIA7N80HF漏源擊穿電壓800V，漏極電流7A，采用先進的平面條狀DMOS技術制造，RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V，低柵極電荷27nC，最大限度降低導通電阻、提供卓越的開關性能；具有高堅固性、快速切換、100%雪崩測試、改進的dv/dt能力，性能出色；在雪崩模式和換向模式下承受高能脈沖，高效穩定，非常適合用于高效開關電源，基于半橋拓撲結構的有源功率因數校正系統；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：800V
漏極電流：7A
柵源電壓：±30V
脈沖漏極電流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：56W
總柵極電荷：27nC
閾值電壓：3-5V
輸入電容：1300 PF
輸出電容：120 PF
反向傳輸電容：10PF
開通延遲時間：40nS
關斷延遲時間：50nS
上升時間：100ns
下降時間：60ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>