直流電機控制pmos,-100v pmos,KPD6610B場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-23
KPD6610B場效應管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流-15A，低導通電阻RDS(開啟) 170mΩ；具有低噪聲，提高信號的保真度、高閾值電壓，抗干擾能力強、低功耗，高效穩(wěn)定；100% EAS保證、綠色設備，環(huán)保可靠；適用于電源管理、直流電機控制等多種應用場景；封裝形式：TO-252，體積小、散熱良好。
漏源電壓：-100V
漏極電流：-15A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：-60A
雪崩能量單脈沖：49MJ
總功耗：61W
閾值電壓：-1.2-2.2V
總柵極電荷：19nC
輸入電容：1228PF
輸出電容：41PF
反向傳輸電容：29PF
開通延遲時間：9nS
關斷延遲時間：39nS
上升時間：6ns
下降時間：33ns
聯系方式：鄒先生
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