5n50mos管,500v5a,KIA5N50SY場效應管參數,原廠現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-26
KIA5N50SY場效應管漏源擊穿電壓高達500V，漏極電流5A，低導通電阻RDS(開啟) 1.35Ω，最大限度地減少導電損耗，高效低耗；堅固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到漏極二極管的恢復時間可與分立快速恢復二極管相媲美，低電荷、低反向傳輸電容，開關速度快；二極管的特點是用于橋式電路、高溫下規定的IDSS和VDS（on），穩定可靠；封裝形式：DFN5*6。
漏源電壓：500V
漏極電流：5A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：15A
單脈沖雪崩能量：80MJ
功率耗散：68W
閾值電壓：3.5V
總柵極電荷：12nC
輸入電容：525PF
輸出電容：50PF
反向傳輸電容：4PF
開通延遲時間：14nS
關斷延遲時間：29nS
上升時間：14.5ns
下降時間：12ns
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