2301場效應管,mos2301貼片mos管,SOT23,KIA2301參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-01-14
KIA2301是一款高效穩定的P溝MOSFET，漏源擊穿電壓20V，漏極電流為2.8A；極低RDS（on）的高密度單元設計，最大限度地減少導通損耗，提高了整機的能效；無鉛產品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。KIA2301場效應管具有可靠性和高性能，是小家電方案應用的優質元件。
VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A
VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
漏源電壓：20V
漏極電流：2.8A
柵源電壓：±8V
脈沖漏電流：10A
功率耗散：1.25W
閾值電壓：0.5-1V
總柵極電荷：5.8nC
輸入電容：415PF
輸出電容：223PF
反向傳輸電容：87PF
開通延遲時間：13nS
關斷延遲時間：42nS
上升時間：36ns
下降時間：34ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>