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逆變器mos,80v場效應管,TO-263,KNB3508A參數中文資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-01-06 

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80v場效應管,KNB3508A參數引腳圖

KNB3508A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流70A,低導通電阻RDS(on)=7.5mΩ,最大限度地降低導通電阻,減少損耗;在雪崩和整流模式下能承受高能量脈沖、100%雪崩測試、符合RoHS標準,穩定可靠;適用于逆變器系統的電源管理、鋰電池保護板、切換應用程序,高效率低功耗,性能優越;封裝形式:TO-263,散熱良好。

80v場效應管,KNB3508A參數

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漏源電壓:80V

漏極電流:70A

柵源電壓:±25V

脈沖漏電流:240A

閾值電壓:3.0V

總柵極電荷:55nC

輸入電容:2900PF

輸出電容:290PF

反向傳輸電容:175PF

開通延遲時間:14nS

關斷延遲時間:51nS

上升時間:11ns

下降時間:22ns

80v場效應管,KNB3508A參數規格書

80v場效應管,KNB3508A參數

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