3406場效應(yīng)管,60v80a,dfn5*6,?KCY3406A參數(shù)資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-26
KCY3406A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=8.5mΩ，改進(jìn)的工藝和電池結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，最大限度地降低導(dǎo)通電阻；具有低柵電荷、低反饋電容，降低功耗提高效率；開關(guān)速度快、改進(jìn)的dvdt功能，穩(wěn)定可靠；廣泛應(yīng)用于同步整流器、逆變器系統(tǒng)的電源管理，封裝形式：DFN5*6。
漏源電壓：60V
漏極電流：80A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：240A
雪崩能量單脈沖：81MJ
總功耗：63W
閾值電壓：2.0V
總柵極電荷：16.8nC
輸入電容：1065PF
輸出電容：430PF
反向傳輸電容：22PF
開通延遲時間：8nS
關(guān)斷延遲時間：19nS
上升時間：54ns
下降時間：8.8ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機(jī)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責(zé)聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>