?可控硅觸發(fā)電路,脈沖信號,電路原理圖分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-25
為了降低柵極功率耗散，可控硅觸發(fā)電路產(chǎn)生單個脈沖或一串脈沖，而不是連續(xù)的直流柵極信號，這可以精確控制可控硅SCR的觸發(fā)點，此外，很容易在可控硅SCR和柵極觸發(fā)電路之間提供電氣隔離。
如果多個可控硅SCR從同一個源選通，則通過脈沖變壓器或光耦合器進(jìn)行電氣隔離很重要，隔離還可以減少不需要的信號，例如瞬態(tài)噪聲信號，這些信號可能會無意中觸發(fā)敏感的SCR。
上圖顯示了使用單結(jié)晶體管(UJT)振蕩器產(chǎn)生脈沖的最常見方法，該電路非常適合觸發(fā)可控硅SCR。
它在B處提供一系列窄脈沖，當(dāng)電容充電到UT的峰值電壓(V_)時，UJT開啟。這會在發(fā)射極–基極1結(jié)上放置一個低電阻，并且發(fā)射極電流流過脈沖變壓器的初級，將柵極信號施加到可控硅SCR，可以通過增加C的值來增加輸出信號的脈沖寬度。
該電路的一個困難是，由于脈沖寬度窄，在去除柵極信號之前可能無法獲得鎖存電流。不過一個RC緩沖電路可以用來消除這個問題。
上圖所示電路的操作與此類似，通過使用R兩端的輸出來驅(qū)動與變壓器初級串聯(lián)的晶體管Q，可以改善脈沖的寬度和上升時間。
當(dāng)來自UJT的脈沖施加到Q的基極時，晶體管飽和，并且電源電壓V_被施加在初級兩端，這會在脈沖變壓器的次級感應(yīng)出一個電壓脈沖，該電壓脈沖被施加到可控硅SCR。當(dāng)脈沖到IQ的基極被移除時，它關(guān)閉。
由變壓器中的塌陷磁場引起的電流在初級繞組上感應(yīng)出一個相反極性的電壓，二極管D在此期間為電流提供路徑。
使用DIAC的類似電路（上圖）在由RC時間常數(shù)確定的一段時間內(nèi)為電容緩慢充電。在電容充電到等于DIAC的擊穿電壓的電壓后，它會將DIAC切換到導(dǎo)通狀態(tài)。
然后電容迅速放電到可控硅SCR的柵極端子，短暫的間隔后，DIAC關(guān)閉并重復(fù)循環(huán)。
這種安排需要相對較低的功率來從直流電源為電容充電，但它會在短時間內(nèi)提供大功率以實現(xiàn)可靠的可控硅SCR開啟，波形如下圖所示。
下圖中觸發(fā)電路使用光耦合器在控制電路和負(fù)載之間實現(xiàn)電氣隔離。
通過光耦合器觸發(fā)還可以防止噪聲或瞬變造成的錯誤觸發(fā)，這種觸發(fā)技術(shù)在固態(tài)繼電器中特別流行。
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