pd電源mos管,9a900v場效應管,KNF4890A參數中文資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-14
KNF4890A場效應管采用專有新型平面技術，漏源電壓900V，漏極電流9.0A，低導通電阻RDS（ON）=1.2Ω，低柵極電荷，能夠最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗；快速恢復體二極管，確保性能穩定可靠，廣泛應用于pc電源pd電源、適配器充電器、SMPS電源、LCD面板電源等領域；封裝形式：TO-220F。
漏源電壓：900V
漏極電流：9A
柵源電壓：±30V
雪崩能量單脈沖：580MJ
最大功耗：67W
總柵極電荷：48nC
輸入電容：2595PF
輸出電容：145PF
開通延遲時間：36nS
關斷延遲時間：136nS
上升時間：42ns
下降時間：48ns
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