三極管反向擊穿電壓,BVcbo,BVceo,BVebo-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-29
三極管由三個區(qū)域組成：n型區(qū)（發(fā)射極）、p型區(qū)(基極）和n型區(qū)（集電極）。其中，發(fā)射極和集電極之間的電流放大作用是三極管的主要特性。當(dāng)電壓達到一定值時，三極管會出現(xiàn)反向擊穿現(xiàn)象，導(dǎo)致電流急劇增大，可能損壞電路。
反向擊穿電壓是指在反向電壓作用下，半導(dǎo)體材料中的電子空穴對被拉出，形成電流，從而導(dǎo)致器件損壞的電壓。對于三極管而言，由于其內(nèi)部存在兩個p-n結(jié)（發(fā)射結(jié)和集電結(jié))，因此它有三個反向擊穿電壓：BVCEO（集電極-發(fā)射極反向擊穿電壓）、BVCBO（集電極-基極反向擊穿電壓）和BVEBO（發(fā)射極-基極反向擊穿電壓）。
在三極管的三個反向擊穿電壓中，BVCEO是最大的，因為它決定了三極管的耐壓值。一般來說，BVCEO在20V以上，甚至可以達到10O0V或更高。BVCBO次之，通常在50V至100V之間。而BVEBO最小，一般不超過20V。這是因為在三極管工作時，發(fā)射結(jié)通常處于正偏狀態(tài)，而基極的電流較小，所以發(fā)射極-基極之間的反向擊穿電壓要求相對較低。
三個反向擊穿電壓的關(guān)系
BVcbo>BVceo>BVebo
首先三極管工作時其發(fā)射結(jié)一般處于正偏狀態(tài)，故BVebo反向擊穿電壓要求不高，通常BVebo<20V，是最低的。
其次，反向擊穿主要是漏電流引起的。集電極-基極漏電流Icbo經(jīng)過β倍放大后成為集電極-發(fā)射極漏電流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
測試三極管反向擊穿電壓的方法
使用萬用表進行測量，具體操作時將萬用表調(diào)至合適的檔位(如10K或100K),然后將紅表筆接在發(fā)射極，黑表筆接在集電極或基極。
如果測量的是BVCEO，那么需要將萬用表的正極接觸到集電極，負極接觸到發(fā)射極；如果測量的是BVCB0，那么需要將萬用表的正極接觸到集電極，負極接觸到基極；如果測量的是BVEBO，那么需要將萬用表的正極接觸到發(fā)射極，負極接觸到基極。
在測試過程中，如果三極管出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象，萬用表上的指針會突然擺動到最大值，這樣就可以判斷出三極管的反向擊穿電壓。
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