pmos防反接電路設(shè)計,電路原理圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-23
當希望板內(nèi)電源的負極與電源入口的負極直接接通時，可以使用PMOS防反接電路，電路圖如圖所示，由于寄生二極管的存在，當電源正接時，Vs=Vd-0.7V，此時D7被擊穿，故Vgs<Vth，從而PMOS接通。當入口電源反接時，Vs=Vg，故PMOS不接通。
使用PMOS時需要注意：
PMOS的VDS應(yīng)當滿足最高反向電壓的電壓要求，否則寄生二極管可能被擊穿；
PMOS的Rds(on)帶來的壓降會導致電源電壓降低，降低幅度是否可以滿足要求。
PMOS用作電源開關(guān)，將負載與電源連接或斷開，在正確連接電源期間，MOSFET由于正確的VGS(柵極到源極電壓)而導通，但在反極性情況下，柵極到源極電壓太低而無法導通MOSFET并將負載與輸入電源斷開。
100R電阻是與齊納二極管相連的MOSFET柵極電阻，齊納二極管保護柵極免受過壓。
MOSFET選擇的主要參數(shù)
DS漏源電阻(RDS)：使用極低的RDS(漏源電阻)以實現(xiàn)低散熱和極低的輸出壓降，更高的RDS將產(chǎn)生更高的熱耗散。
D漏極電流：通過MOSFET的最大電流，如果負載電流需要2A電流，選擇能夠承受該電流的MOSFET。在這種情況下，漏極電流為3A的MOSFET是一個不錯的選擇。選擇比實際需要大的參數(shù)。
DS漏源電壓：DS漏源電壓需要高于電路電壓。如果電路需要最大30V的電壓，則需要漏源電壓為50V的MOSFET才能安全運行，始終選擇大于實際需要的參數(shù)。反接時，MOSFET會因Vgs不足而關(guān)斷，對負載電流和MOSFET都沒有影響。
以上參數(shù)在正常情況下都是需要的，需要謹慎選擇。
齊納二極管電壓的選擇：
每個MOSFET都帶有一個Vgs（柵極到源極電壓）。如果柵極到源極電壓增加超過最大額定值，這可能會損壞MOSFET柵極。因此，選擇一個不會超過MOSFET柵極電壓的齊納二極管電壓。對于10V的Vgs，9.1V齊納二極管就足夠了。確保柵極電壓不應(yīng)超過最大額定電壓。
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