反激開關(guān)電源環(huán)路設(shè)計(jì),實(shí)例方案-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-24
開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，AC-DC的環(huán)路布局對于整個(gè)電源系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。良好的布局可以提高電源的效率，減少電磁干擾（EMI），并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
隔離電源方案
如反激式原邊控制電源，典型應(yīng)用原理圖中，有4個(gè)環(huán)路：
Loop1：原邊主功率環(huán)路
Loop2：RCD吸收環(huán)路
Loop3：VDD環(huán)路
Loop4：Vout環(huán)路
在環(huán)路設(shè)計(jì)時(shí)，Loop1、2、3的環(huán)路面積要盡量小，在Loop1中，走線還應(yīng)盡量粗以優(yōu)化效率，在Loop3中，VDD電容C3應(yīng)緊貼芯片。
在GND走線設(shè)計(jì)時(shí)，輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入電容的地，如Line1所示；VDD電容C3及FB下阻R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳，再連接到輸入電容的地。
以O(shè)B2576XT為例，其原理圖&布局設(shè)計(jì)建議如下：
非隔離電源方案
非隔離方案，典型應(yīng)用原理圖中，有兩個(gè)環(huán)路：
Loop1：源開關(guān)環(huán)路
Loop2：續(xù)流環(huán)路
在Layout時(shí)，應(yīng)讓環(huán)路面積盡量小，且在滿足環(huán)路面積小的前提下，功率電感L3盡量原理母線上的π濾波電路。反饋電阻 R4 和 R3 靠近芯片引腳放置。芯片的旁路電容靠近芯片引腳放置。
在該轉(zhuǎn)換電路中，LX（Drain）是主電源的DC定點(diǎn)，可以在電流主回路走線上增加敷銅面積來改善電源散熱，提高電源性能；ISET（SOURSE）是電源的開關(guān)動點(diǎn)，可以盡量縮短 SOURSE 和功率電感間的線徑來改善 EMI 的特性。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
