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KCX3310A場效應管參數,100V 85A,5mΩ,引腳圖-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-10-30 

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KCX3310A場效應管參數,100V 85A,5mΩ,引腳圖-KIA MOS管


KCX3310A場效應管漏源擊穿電壓100V,漏極電流最大為85A;RDS(on)(典型值)=5mΩ@Vgs=10V,3310A采用先進的SGT技術,具有極低的開關損耗、卓越的穩定性、良好的開關特性等優點,適用于電源切換應用、硬開關和高頻電路不間斷電源等。封裝形式:DFN5*6、TO-263。


KCX3310A場效應管參數,100V 85A,5mΩ引腳圖

KCX3310A場效應管參數,100V 85A,5mΩ

KCX3310A場效應管參數,100V 85A,5mΩ中文資料

RDS低(打開)和FOM

極低的開關損耗

采用先進的SGT技術

卓越的穩定性和均勻性

快速切換和軟恢復


電源切換應用

低導通電阻(典型值)RDS(導通)=5mΩ

硬開關和高頻電路

不間斷電源


KCX3310A場效應管參數,100V 85A,5mΩ參數詳情

漏極-源極電壓:100V

連續漏極電流:TO-263 90A/DFN5*6 85A

脈沖漏極電流:TO-263 360A/DFN5*6 340A

雪崩能量:529mJ

柵極-源極電壓:±20 V

功率耗散:TO-263 166W/DFN5*6 90W

連接和儲存溫度范圍:-55 to 150℃

KCX3310A場效應管參數,100V 85A,5mΩ

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聯系方式:鄒先生

聯系電話:0755-83888366-8022

手機:18123972950

QQ:2880195519

聯系地址:深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109


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