KCX3310A場效應管參數,100V 85A,5mΩ,引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-10-30
KCX3310A場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流最大為85A；RDS（on）（典型值）=5mΩ@Vgs=10V，3310A采用先進的SGT技術，具有極低的開關損耗、卓越的穩定性、良好的開關特性等優點，適用于電源切換應用、硬開關和高頻電路、不間斷電源等。封裝形式：DFN5*6、TO-263。
RDS低（打開）和FOM
極低的開關損耗
采用先進的SGT技術
卓越的穩定性和均勻性
快速切換和軟恢復
電源切換應用
低導通電阻（典型值）RDS（導通）=5mΩ
硬開關和高頻電路
不間斷電源
漏極-源極電壓：100V
連續漏極電流：TO-263 90A/DFN5*6 85A
脈沖漏極電流：TO-263 360A/DFN5*6 340A
雪崩能量：529mJ
柵極-源極電壓：±20 V
功率耗散：TO-263 166W/DFN5*6 90W
連接和儲存溫度范圍：-55 to 150℃
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>