40n20場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),40n20場(chǎng)效應(yīng)管代換-KIA MOS管

KIA40N20A是一款40A低電流，200V高電壓N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管，以其40A漏極直流電流、200V漏-源電壓的特性，一般推薦用于DC-DC電路的產(chǎn)品，還可以用于逆變電路、安防、拉桿音箱、無(wú)線充電器。

40n20場(chǎng)效應(yīng)管具有100% EAS測(cè)試，100% Rg測(cè)試，100% DVDS測(cè)試，高雪崩耐量，可靠性高，低Qgd，低RDSon等特點(diǎn)。40n20場(chǎng)效應(yīng)管可以代換其他品牌場(chǎng)效應(yīng)管，原廠直銷(xiāo)好價(jià)。

40n20場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),40n20代換

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RDS(ON) =0.08Ω (Max) @VGS =10V

符合RoHS

低電阻

低柵極電荷

快速切換

應(yīng)用：

DC-DC轉(zhuǎn)換器

用于UPS的DC-AC轉(zhuǎn)換器

開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)控制

40n20場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),40n20場(chǎng)效應(yīng)管代換資料

產(chǎn)品型號(hào)：KIA40N20

工作方式：40A/200V

漏源電壓：200V

柵源電壓：±30V

漏電流連續(xù)：40A

脈沖漏極電流：120A

雪崩能量：800mJ

耗散功率：175W

熱電阻：62.5/W

漏源擊穿電壓：200V

溫度系數(shù)：0.2/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：1560 PF

輸出電容：370 PF

上升時(shí)間：32 ns

封裝形式：TO-220、TO-3P

產(chǎn)品編號(hào)：KIA40N20/AB/AH/AP

FET極性：N溝道MOSFET

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KIA半導(dǎo)體是一家致力于功率半導(dǎo)體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠(chéng)服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設(shè)備、數(shù)碼家電、安防工程等行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶需求，不斷研發(fā)創(chuàng)新，為客戶提供綠色、節(jié)能、高效的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

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