4A 1000V場(chǎng)效應(yīng)管 43100A參數(shù) 引腳圖-KIA MOS管

KNX43100A場(chǎng)效應(yīng)管-漏源擊穿電壓高達(dá)1000V，漏極電流最大值為4A；RDS (on) = 2.2mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗，低反向傳輸電容，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于驅(qū)動(dòng)電源，充電樁等應(yīng)用。封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-252；腳位排列位GDS。

4A 1000V場(chǎng)效應(yīng)管 43100A-特點(diǎn)

符合RoHS

RDS（ON），典型=2.2Ω@VGS=10V

低柵極電荷最小化開(kāi)關(guān)損耗

快速恢復(fù)體二極管

4A 1000V場(chǎng)效應(yīng)管 43100A-應(yīng)用

適配器

充電器

SMPS備用電源

4A 1000V場(chǎng)效應(yīng)管 43100A-封裝圖

4A 1000V場(chǎng)效應(yīng)管 43100A

4A 1000V場(chǎng)效應(yīng)管 43100A-參數(shù)

4A 1000V場(chǎng)效應(yīng)管 43100A

KIA半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)MOS管場(chǎng)效應(yīng)管廠(chǎng)家（國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場(chǎng)，研發(fā)為先導(dǎo)，了解客戶(hù)需求，運(yùn)用創(chuàng)新的集成電路設(shè)計(jì)方案和國(guó)際同步研發(fā)技術(shù)，結(jié)合中國(guó)市場(chǎng)的特點(diǎn)，向市場(chǎng)推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關(guān)產(chǎn)品，產(chǎn)品的穩(wěn)定性，高性?xún)r(jià)比，良好的服務(wù)，以及和客戶(hù)充分的技術(shù)，市場(chǎng)溝通的嚴(yán)謹(jǐn)態(tài)度，在移動(dòng)數(shù)碼，LCE,HID,LED,電動(dòng)車(chē)，開(kāi)關(guān)電源，逆變器，節(jié)能燈等領(lǐng)域深得客戶(hù)認(rèn)可。