7n80場效應管參數，7n80場效應管代換?-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-14
7n80功率MOSFET是使用先進的平面條紋DMOS技術生產的。這項先進的技術經過專門定制，可最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適合高效開關模式電源、基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
RDS(on)=1.4Ω@ VGS=10V
柵極電荷低(典型為27nC)
高堅固性
快速切換
100%雪崩測試
改進的DV/DT功能
產品型號：KIA7N80
工作方式：7A/800V
漏源電壓：800V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：7.0A
脈沖漏極電流：28A
雪崩能量：650mJ
耗散功率：167W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：800V
溫度系數：1V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：1300 PF
輸出電容：120 PF
上升時間：100 ns
封裝形式：TO-220、TO-220F
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
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