高壓超結MOS Super Junction結構及原理-KIA MOS管

高壓超結型功率MOSFET

高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結構，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 epi 層，用來保證具有足夠的擊穿電壓，低摻雜的 N-的 epi 層的尺寸越厚，耐壓的額定值越大，但是其導通電阻也急劇的增大。

導通電阻隨電壓以 2.4-2.6 次方增長，這樣，就降低的電流的額定值。為了得到一定的導通電阻值，就必須增大硅片的面積，成本隨之增加。如果類似于 IGBT 引入少數載流子導電，可以降低導通壓降，但是少數載流子的引入會降低工作的開關頻率，并產生關斷的電流拖尾，從而增加開關損耗。

高壓的功率 MOSFET 的外延層對總的導通電阻起主導作用，要想保證高壓的功率 MOSFET 具有足夠的擊穿電壓，同時，降低導通電阻，最直觀的方法就是：在器件關斷時，讓低摻雜的外延層保證要求的耐壓等級，同時，在器件導通時，形成一個高摻雜 N+區，作為功率 MOSFET 導通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導通電阻功能分開，分別設計在不同的區域，就可以實現上述的要求。

基于超結 SuperJunction 的內建橫向電場的高壓功率 MOSFET 就是基本這種想法設計出的一種新型器件。內建橫向電場的高壓 MOSFET 的剖面結構及高阻斷電壓低導通電阻的示意圖如圖所示。

垂直導電 N+區夾在兩邊的 P 區中間，當 MOS 關斷時，形成兩個反向偏置的 PN 結：P 和垂直導電 N+、P+和外延 epi 層 N-。P 和垂直導電 N+形成 PN 結反向偏置，PN 結耗盡層增大，并建立橫向水平電場；同時，P+和外延層 N-形成 PN 結也是反向偏置形，產生寬的耗盡層，并建立垂直電場。

由于垂直導電 N+區摻雜濃度高于外延區 N-的摻雜濃度，而且垂直導電 N+區兩邊都產生橫向水平電場，這樣垂直導電的 N+區整個區域基本上全部都變成耗盡層，這樣的耗盡層具有非常高的縱向的阻斷電壓，因此，器件的耐壓就取決于高摻雜 P+區與低摻雜外延層 N-區的耐壓。

當 MOS 導通時，柵極和源極的電場將柵極下的 P 區反型，在柵極下面的 P 區產生 N 型導電溝道，同時，源極區的電子通過導電溝道進入垂直的 N+區，中和 N+區的正電荷空穴，從而恢復被耗盡的 N+型特性，因此導電溝道形成，垂直 N+區摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導通電阻低。

高壓超結 MOS

圖：內建橫向電場的 SuperJunction 結構

比較平面結構和溝槽結構的功率 MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型和溝槽型結構兩者的特點，是在平面型結構中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結構的高耐壓和溝槽型結構低電阻的特性。

內建橫向電場的高壓超結型結構與平面型結構相比較，同樣面積的硅片可以設計更低的導通電阻，因此具有更大的額定電流值。由于要開出 N+溝槽，它的生產工藝比較復雜，雪崩能量不容易控制。

目前 N+溝槽主要有兩種方法直接制作：(1)通過一層一層的外延生長得到 N+溝槽，(2)直接開溝槽。前者工藝相對的容易控制，但工藝的程序多，成本高；后者成本低，但不容易保證溝槽內性能的一致性。

超結型結構的工作原理

關斷狀態

從下圖中可以看到，垂直導電 N+區夾在兩邊的 P 區中間，當 MOS 關斷時，也就是 G 極的電壓為 0 時，橫向形成兩個反向偏置的 PN 結：P 和垂直導電 N+、P+和外延 epi 層 N-。

柵極下面的的 P 區不能形成反型層產生導電溝道，左邊 P 和中間垂直導電 N+形成 PN 結反向偏置，右邊 P 和中間垂直導電 N+形成 PN 結反向偏置，PN 結耗盡層增大，并建立橫向水平電場。

當中間的 N+的滲雜濃度和寬度控制得合適，就可以將中間的 N+完全耗盡，如圖(b)所示，這樣在中間的 N+就沒有自由電荷，相當于本征半導體，中間的橫向電場極高，只有外部電壓大于內部的橫向電場，才能將此區域擊穿，所以，這個區域的耐壓極高，遠大于外延層的耐壓，功率 MOSFET 管的耐壓主要由外延層來決定。

高壓超結 MOS