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LED電路:利用MOSFET提升效率降低噪聲-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2023-01-11 

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LED電路:利用MOSFET提升效率降低噪聲-KIA MOS管


LED照明電路(臨界模式PFC+DC/DC):利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例


下面的電路摘自實際LED照明電路的相關部分。該LED驅動電路是DC/DC轉換器通過臨界模式(BCM)的PFC向LED供電的。


LED 電路 MOSFET


下面將介紹在該電路中改變PFC部的開關MOSFET、DC/DC轉換器部的開關MOSFET、以及其柵極電阻RG,并對效率和噪聲進行比較的情況。


原設計使用的超級結MOSFET(以下簡稱“SJ MOSFET”)標記為“Original”。考慮到噪聲問題,Original的RG采用100Ω。


對此,將PFC及DC/DC轉換器的開關替換為三種SJ MOSFET,RG也嘗試了100Ω和50Ω兩種方案。MOSFET采用高速開關型R5207AND,以及新一代產品R6004END和R6004END,噪聲均得以降低。


下表中黃色高亮表示效率高于Original,綠色高亮表示最高效率。


獲得的結論是PFC采用R5207AND、DC/DC轉換器采用R6004END的組合效率最佳,RG為50Ω時的效率更高(3種SJ MOSFET的組合共有9組結果,效果不好的已被省略)。與Original相比,效率提高了1%左右。效率是電路整體的效率。

LED 電路 MOSFET


另外,請看下面DC/DC轉換器部的噪聲特性。數據是Original與效率最好的R6004END/50Ω的比較數據。

LED 電路 MOSFET


Original的開關速度比較快,因此采用100Ω的RG作為噪聲對策比較妥當,不過低噪聲的R6004END在RG為50Ω時即使提高開關速度后噪聲也比Original低,可在提高效率的同時降低噪聲。



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