RC延時(shí)電路、RC延時(shí)電路計(jì)算-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-11-23
RC延時(shí)原理：
如圖，3.3V電源通過R1之后會給C1充電，A點(diǎn)的電壓會從0開始升高，對于后續(xù)電路來講，A點(diǎn)升高到后續(xù)電路所需有效電壓的時(shí)間t就可以認(rèn)為是延時(shí)的時(shí)間。
在電路設(shè)計(jì)時(shí)，不需要太精確時(shí)，RC延時(shí)電路所產(chǎn)生的時(shí)間延時(shí)，直接使用RC來計(jì)算即可，例如圖中R1=10K，C1=0.1uf。R*C=1ms。注意RC中R化為歐姆（Ω），C化為法拉（F）。之后乘積為秒（s）
如上圖所示，如通過實(shí)驗(yàn)的方法繪出電容的充放電曲線，在起點(diǎn)處做一條充放電切線，則切線與橫軸的交點(diǎn)就是時(shí)間常數(shù)RC。
RC延時(shí)的過程就是電容C充電的過程，這就用到電容充放電公式：
Vt=V0+（V1-V0）* [1-exp(-t/RC)]
V0 為電容上的初始電壓值，V1 為電容最終可充到或放到的電壓值，Vt為t時(shí)刻電容上的電壓值。
例如電壓為E的電容通過阻值為R的電阻向初值為0的電容C充電，則此時(shí)V0=0，V1=E，經(jīng)過t時(shí)刻電容上的電壓為：Vt=E*[1-exp(-t/RC)]。
如果是放電過程，初始電壓為E的電容通過阻值為R的電阻放電，對照公式V0=E，V1=0，故放到t時(shí)刻電容上的電壓為：Vt=E*exp(-t/RC)。
對于上圖來講，V0=0，V1=3.3V，RC=1ms。所以Vt=3.3*[1-exp(-t/1ms)]。如果對于后續(xù)電路，需要A點(diǎn)升到1.5V。則可計(jì)算出t這個(gè)延時(shí)時(shí)間。
又或者我們想要延時(shí)3ms的時(shí)間，確定延時(shí)時(shí)間后，我們通過配置電源，電阻和電容這三個(gè)可變量中的任意兩個(gè)，就可以計(jì)算RC電路中另外一個(gè)的參數(shù)。
RC延時(shí)電路簡易實(shí)用，成本低。但是只適合不精確場景下的短暫延時(shí)。根據(jù)原理來講，受限于電容的存儲容量，無法實(shí)現(xiàn)長時(shí)間延時(shí)。實(shí)際使用中若需要延時(shí)時(shí)間較長，且需要具有一定準(zhǔn)確的場合，可以選用時(shí)間繼電器。
自動(dòng)控制中，常用RC和繼電器，開關(guān)組合成緩放緩吸或者緩慢釋放，快速吸合等不同功能的電路。總之，根據(jù)實(shí)際使用場景和功能，又或是實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)的需求，選用合適的延時(shí)電路即可。
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