淺析D類(lèi)MOS管射頻功放應(yīng)用-KIA MOS管

在大功率全固態(tài)廣播發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器中，利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，可使整個(gè)射頻功率放大器工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，從而提高整機(jī)效率，改善技術(shù)性能，同時(shí)使發(fā)射機(jī)的射頻功率放大器處于低電壓范圍，有利于設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

MOS管射頻功放

MOS管的開(kāi)關(guān)特性

MOS管是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)的簡(jiǎn)稱(chēng)，或稱(chēng)為MOS管，它是有別于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管分為兩種類(lèi)型：一種是耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管，一種是增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管一般有三個(gè)電極，即柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。

MOS管射頻功放

若其柵源電壓為VGS，則當(dāng)VGS≤0時(shí)，就可能產(chǎn)生漏源電流ID的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，即為耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管。而在VGS≥0的情況下才能產(chǎn)生漏源電流ID的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管為增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管。

一般使用的射頻功率場(chǎng)效應(yīng)管都是增強(qiáng)型MOS管，因而只需提供正向偏壓即可使器件工作。

D類(lèi)MOS管在射頻功放中的應(yīng)用

現(xiàn)以韋爾半導(dǎo)體研發(fā)的數(shù)字化調(diào)幅(DIGITAL AMPLITUDE MODULATION)發(fā)射機(jī)為例，來(lái)說(shuō)明D類(lèi)MOS管在射頻功放中的應(yīng)用。

數(shù)字調(diào)幅就是將控制載波電平和音頻調(diào)制的模擬信號(hào)首先轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，再經(jīng)過(guò)編碼變成控制射頻功放模塊開(kāi)通和關(guān)斷的控制信號(hào)，通過(guò)控制相應(yīng)數(shù)目的射頻功放模塊的開(kāi)通或者關(guān)斷數(shù)量來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)幅。

DAM發(fā)射機(jī)取消了傳統(tǒng)的高電平音頻功放，而且所有的射頻功率放大器均工作于D類(lèi)開(kāi)關(guān)狀態(tài)。

MOS管射頻功放