NMOS門電路圖文詳細分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-12-08
（1）電路結(jié)構
反相器又稱“非”門電路，NMOS反相器如圖1所示。圖中T1為輸入器件也稱驅(qū)動管；T2的柵極與漏極相聯(lián)，作為T1漏極的負載電阻，故稱負載管。
由于使用集成電路制造工藝來制作一個高阻值的電阻比制作一個MOS管難得多，所以負載電阻常用MOS管來代替。
MOS管導通后的導通電阻（漏極與源極之間的電阻）與其跨導gm有關。跨導大的則其導通電阻小。
驅(qū)動管T1的跨導較大，一般為100～200μA/V；而負載管T2的跨導較小，一般為5～10μA/V。因此，T2的導通電阻比T1要大許多。
（2）工作原理
當輸入端A為1時，T1的柵源電壓VGS大于它的開啟電壓，T1導通。由于T2的柵極與漏極相聯(lián)并接到正電源VDD上，其柵源電壓也一定大于開啟電壓，T2總是處于導通狀態(tài)。
又因為T1的導通電阻遠比T2的小，其管壓降很小，故輸出端Y為0。當輸入端A為0時，T1的柵源電壓低于它的開啟電壓，T1截止，而T2總是處于導通狀態(tài)，故輸出端Y為1。
2.NMOS“與非”門電路
（1）電路結(jié)構
NMOS“與非”門電路如圖2所示，其中，T3為負載管，T1和T2相串聯(lián)，為驅(qū)動管。
圖1 NMOS“與非”門電路
圖2 NMOS“或非”門電路
（2）工作原理
當A，B兩個輸入端全為1時，T1</FONT>與T2</FONT>兩管導通，它們的導通電阻都比負載管的低得多，因此這兩個驅(qū)動管的管壓降都很小，輸出端Y為0。
當輸入端有一個或全為0時，則串聯(lián)的驅(qū)動管截止，輸出端Y為1，這時與高電平輸入端相聯(lián)的管子形成導電溝道。
3.NMOS“或非”門電路
圖2 是NMOS“或非”門電路，T1和T2兩個驅(qū)動管并聯(lián)，然后再與負載管T3串聯(lián)。
當A，B兩個輸入端全為1或其中一個為1時，則相應的驅(qū)動管導通，輸出端Y為0。只有當輸入端A，B全為0時，T1和T2都截止，輸出端Y才為1。這種“或非”邏輯關系可用下式表示：
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
<ul id="ou8ay"></ul>