常用的IGBT單體緩沖吸收電路分享-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-10-15
RS單體吸收電路
( 1 )抑制關(guān)斷浪涌電壓效果好。
( 2 )最適用于斬波器。
( 3 ) IGBT容量較大時(shí), R1 , R2阻值選取小,開(kāi)通時(shí)增加了IGBT集電極的容性開(kāi)通電流,損耗增加，IGBT的功能受到限制。
充電RCD單體吸收電路
( 1 )可抑制關(guān)斷浪涌電壓。
( 2 )充放電型RCD緩沖電路由于增加了二極管VDS ,可使R3、 R4增大,避免了IGBT功能受限制。
( 3 )緩沖電路的損耗相當(dāng)大。
( 4 )因損耗大而不適用于高頻開(kāi)關(guān)用途。
放電阻止型單體吸收電路
( 1 )具有較好抑制關(guān)斷浪涌電壓效果。
( 2 )緩沖電路產(chǎn)生的損耗小。
( 3 )最適合于高頻開(kāi)關(guān)用途。
C整體吸收電路
( 1 )線路最簡(jiǎn)單。
( 2 )利用C7旁路浪涌尖峰電壓。
( 3 ) C7取值不當(dāng),易與主回路電感L S構(gòu)成諧振而產(chǎn)生振蕩。
( 4 ) C7的取值根據(jù)能量守恒原理可求取。
RCD整體吸收電路
( 1 )線路相當(dāng)簡(jiǎn)單。
( 2 )適用于各種逆變器。
( 3 ) VDS要示正向恢復(fù)電壓VFM小,反向恢復(fù)時(shí)間短,軟恢復(fù)的二_極管,以降低Vcep值。 關(guān)斷損耗,避免引起振蕩。
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