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MOS管KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 現貨供應 原裝正品-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2019-07-29 

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MOS管KIA2803A替代FDD8870 160A/30V 現貨供應 原裝正品

FDD8870替代MOS管-KIA2803A

KIA2803A可以替代FDD8870,KIA2803A MOS管是KIA半導體品牌,如您有需要或是想了解更多可以查看KIA官網或是致電KIA,我們將竭誠為您服務!


下面我們一起來看看KIA2803A和FDD8870這兩個型號的具體參數、封裝、電路特征等。


MOS管 FDD8870替代產品KIA2803A資料詳情
(一)MOS管 KIA2803A特征

1、RDS(on)=2.2mΩ(類型)@VGS=10V


2、低導通電阻


3、100%雪崩試驗


4、無鉛、符合RoHS標準


(二)KIA2803A參數

產品型號:KIA2803A

工作方式:150A/30V

漏源極電壓:30V

柵源電壓:±20V

連續漏電流@VGS=10V,TC=25oC:150A

脈沖漏電流測試TC=25oC:600A

單脈沖雪崩能:625MJ

最大功率消耗TC=25oC:160W

最高溫度:175℃

貯存溫度范圍:-55℃至+175℃


(三)KIA2803A封裝圖


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(四)MOS管 KIA2803A規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。


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MOS管 FDD8870產品資料詳情
(一)MOS管 FDD8870產品概述

這種N溝道MOSFET是專門為提高DC/DC變換器的整體效率同步或常規開關PWM控制器。它已經針對低柵電荷、低柵電荷進行了優化。R-DS(開)和快速切換速度。


(二)MOS管 FDD8870特征

rDS(ON)=3.9mΩ,VGS=10V,ID=35A

rDS(ON)=4.4mΩ,VGS=4.5V,ID=35A

高性能溝槽技術,極低RDS(開)

低柵電荷

高功率和電流處理能力


(三)FDD8870參數


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(四)MOS管 FDD8870封裝引腳功能


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(五)MOS管 FDD8870規格書

查看及下載規格書,請點擊下圖。


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聯系方式:鄒先生

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