由兩個555構成兩個時鐘電路，由模十六計數器和組合邏輯門構成四種碼產生電路，...由兩個555構成兩個時鐘電路，由模十六計數器和組合邏輯門構成四種碼產生電路，由雙D觸發器和數據選擇器構成開關電路，由移位寄存器和八個彩燈構成輸出電路，一個時...
KPE4403B P溝道場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導通電阻RDS(on)=40...KPE4403B P溝道場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導通電阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；-5V邏輯電平控制、符合RoHS，高效穩定可靠...
N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導體做為襯底，然后在襯底上制作兩...N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導體做為襯底，然后在襯底上制作兩個高濃度的N +區作為源極和漏極。隨后，在源極和漏極之間的絕緣層上制作金屬層作為柵...
MOS管結電容，是MOS管在極化時，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲電荷的電容...MOS管結電容，是MOS管在極化時，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲電荷的電容。它作為MOS管的關鍵參數，對管子的動態功耗、響應速度等特性有著決定性影響，
KIA840SB場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導通電阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SB場效應管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導通電阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；低柵極電荷、開關速度快，高效可靠；100%雪崩測試...
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